SK하이닉스, 1c나노 DRAM 2027년 초 주력 공정 전환 전망
2026.09.07 05:03
업계에 따르면 SK하이닉스는 6세대 10나노급 DRAM 공정인 1c나노 생산 비중을 빠르게 확대하고 있다. 1c DRAM은 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 핵심 칩으로 적층되는 만큼, 공정 전환에 속도를 내는 것으로 알려졌다. SK하이닉스의 1c DRAM 비중은 올해 1분기 약 10%에서 2분기 약 13%로 늘었으며, 3분기 약 24%, 4분기 약 34%까지 확대될 전망이다. 내년 1분기에는 비중이 약 35%로 올라 1b 공정(약 33%)을 처음으로 넘어서며 주력 공정으로 자리잡을 것으로 예상된다.
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